透明导电膜的制造方法、透明导电膜的制造装置、溅射靶及透明导电膜专利登记公告

专利名称：透明导电膜的制造方法、透明导电膜的制造装置、溅射靶及透明导电膜

摘要：本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051495.0

专利申请（专利权）人：株式会社爱发科

专利发明（设计）人：汤川富之;武井応树;小林大士;赤松泰彦;清田淳也;增泽健二;石桥晓

主权项：一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：在具有靶材的腔体内配置基板，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自镧、钕、镝、铕、钆、铽、锆、铝、硅、钛及硼的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；通过溅射所述靶材，从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜。

专利地区：日本