具有保护二极管结构的薄膜半导体器件和用于制造薄膜半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：具有保护二极管结构的薄膜半导体器件和用于制造薄膜半导体器件的方法

摘要：本发明提出一种薄膜半导体器件（1），其具有支承体（5）和带有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括设置用于产生辐射的有源区域（20）。半导体本体（2）可以借助第一接触部（31）和第二接触部（32）从外部接触。支承体（5）具有与半导体本体（2）电并联的保护二极管结构（7）。保护二极管结构（7）具有第一二极管（71）和第二二极管（72）。第一二极管（71）和第二二极管（72）就其正向而言彼此相反地电串联。此外，提出了一种用于制造薄膜半导体器件的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051515.4

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：曼弗雷德·朔伊贝克;西格弗里德·赫尔曼

主权项：薄膜半导体器件（1），其具有支承体（5）和带有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括设置用于产生辐射的有源区域（20），其中?所述半导体本体（2）能够借助第一接触部（31）和第二接触部（32）从外部电接触；?所述支承体（5）具有保护二极管结构（7），所述保护二极管结构与所述半导体本体（2）电并联；?所述保护二极管结构（7）具有第一二极管（71）和第二二极管（72）；并且?所述第一二极管（71）和所述第二二极管（72）就其正向而言彼此相反地电串联。

专利地区：德国