用于产生硅层的方法专利登记公告

专利名称：用于产生硅层的方法

摘要：本发明涉及用于在衬底上热生产硅层的液相方法，其中将至少一种高级硅烷施加到衬底上，然后热转化成基本上由硅构成的层，该高级硅烷能由通式SiaH2a+2(这里a=3-10)的至少一种氢化硅烷来制备，其中该高级硅烷的热转化在500-900℃的温度和≤5分钟的转化时间的情况下进行，本发明还涉及能根据所述的方法生产的硅层以及它们的用途。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052321.6

专利申请（专利权）人：赢创德固赛有限公司

专利发明（设计）人：S.韦伯;M.帕茨;R.卡里厄斯;T.布龙格;M.克勒

主权项：用于在衬底上热产生硅层的液相方法，其中将至少一种高级硅烷施涂到衬底上，然后将其热转化成基本上由硅构成的层，所述高级硅烷能由至少一种通式SiaH2a+2(这里a=3?10)的氢化硅烷来制备，其特征在于，所述高级硅烷的热转化??在500?900℃的温度??和≤5分钟的转化时间条件下进行。

专利地区：德国