用于制造半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：用于制造半导体器件的方法

摘要：一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40C，更优选地低于或等于50C)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052375.2

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：细羽幸;坂田淳一郎;大原宏树;山崎舜平

主权项：一种用于制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底之上形成第一绝缘层；将具有所述第一绝缘层的所述衬底引入保持在降低的压力下的处理室中；通过引入与从所述处理室中去除残留水分同时地去除氢和水分的溅射气体，使用附连到所述处理室的金属氧化物靶，在所述第一绝缘层之上形成氧化物半导体层；通过在氮气氛或稀有气体气氛中的加热处理来执行所述氧化物半导体层的脱水处理或脱氢处理，然后通过在氧气氛中的冷却处理，将氧提供给所述氧化物半导体层；通过溅射方法在所述氧化物半导体层之上形成第二绝缘层。

专利地区：日本