CVD装置专利登记公告

专利名称：CVD装置

摘要：一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过腔室且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极包括具有第一端和第二端的轴，以及被布置在轴的端中一个上的头部。电极的头部具有外部表面，该外部表面具有触头。外部涂层被布置在接触区外的电极的外部表面上。根据mm3/N*m测量，外部涂层具有比镍更大的耐磨性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052380.3

专利申请（专利权）人：赫姆洛克半导体公司

专利发明（设计）人：D·希拉布兰德;K·麦科伊

主权项：一种用于在载体上沉积材料的制造装置，该载体具有彼此间隔的第一端和第二端且带有被布置在所述载体的每个端的插座，所述装置包括：外壳，其限定了腔室；入口，其被限定为穿过所述外壳，以用于将气体引入所述腔室；出口，其被限定为穿过所述外壳，以用于将所述气体从所述腔室排出；至少一个电极，其被布置穿过所述外壳且所述电极至少部分地被布置于所述腔室内，以用于与所述插座耦合，所述电极包括：轴，其具有第一端和第二端；头部，其被布置在所述轴的所述端之一上，其中所述电极的所述头部具有外部表面，所述外部表面具有适于接触所述插座的接触区

专利地区：美国