成膜方法和成膜装置专利登记公告

专利名称：成膜方法和成膜装置

摘要：本发明提供的成膜方法包括：在成膜装置（100）的处理容器（1）内配置设置有绝缘膜的晶片（W）的工序；在处理容器（1）内供给TEOS等含有硅原子的化合物的气体和水蒸汽等OH基供给性气体，使Si-OH基在绝缘膜的表面形成的表面改性工序；和在处理容器（1）内供给包含含锰材料的成膜气体，由CVD法在形成有Si-OH基的绝缘膜的表面形成含锰膜的成膜工序。在表面改性工序中，在处理容器内既可以同时也可以交替地供给含有硅原子的化合物的气体和OH基供给性气体。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005389.3

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：三好秀典;伊藤仁;佐藤浩

主权项：一种成膜方法，其特征在于，包括：在成膜装置的处理容器内，配置设置有绝缘膜的被处理体的工序；在所述处理容器内，供给含有硅原子的化合物的气体和OH基供给性气体，或供给具有硅原子和OH基的化合物的气体，使Si?OH基在所述绝缘膜的表面形成的表面改性工序；和在所述处理容器内供给包含含锰材料的成膜气体，由CVD法在形成有所述Si?OH基的绝缘膜的表面形成含锰膜的成膜工序。

专利地区：日本