半导体基板、半导体基板的制造方法以及光电变换装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体基板、半导体基板的制造方法以及光电变换装置的制造方法

摘要：提供一种半导体基板，具备：基底基板；牺牲层，与基底基板进行晶格匹配或者准晶格匹配；第1结晶层，由形成在牺牲层上的SixGe1-x(0≤x＜1)的外延结晶构成；以及第2结晶层，形成在第1结晶层上，由禁带宽比第1结晶层还大的3-5族化合物半导体的外延结晶构成。基底基板例如由单晶GaAs构成。牺牲层例如由InmAlnGa1-m-nAs(0≤m＜1、0＜n≤1、0＜n+m≤1)的外延结晶构成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080055527.4

专利申请（专利权）人：住友化学株式会社

专利发明（设计）人：秦雅彦;山田永;高田朋幸

主权项：一种半导体基板，具备：基底基板；牺牲层，与所述基底基板晶格匹配或者准晶格匹配；第1结晶层，由形成在所述牺牲层上的SixGe1?x的外延结晶构成，其中0≤x＜1；以及第2结晶层，形成在所述第1结晶层上，由禁带宽比所述第1结晶层还大的3?5族化合物半导体的外延结晶构成。

专利地区：日本