光电转换装置和其制造方法专利登记公告

专利名称：光电转换装置和其制造方法

摘要：使光电转换装置中的光电转换效率提高。一种光电转换装置，包括光电转换单元，该光电转换单元层叠有含p型掺杂剂的p型层（40）、作为成为发电层的微晶硅层的i型层（42）和包含n型掺杂剂的n型层（44），其中，p型层（40）具有第一p型层（40a）和第二p型层（40b）的层叠结构，上述第一p型层（40a）是微晶硅层，上述第二p型层（40b）配置在微晶硅p型层（40a）与i型层（42）之间，并且包括非晶硅p型层和非晶碳化硅p型层中的至少一个。第二p型层（40b）在i型层（42）一侧具备氧化层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056836.3

专利申请（专利权）人：三洋电机株式会社

专利发明（设计）人：村田和哉;松本光弘

主权项：一种光电转换装置，其特征在于：包括光电转换单元，该光电转换单元层叠有包含p型掺杂剂的p型层、作为成为发电层的微晶硅层的i型层和包含n型掺杂剂的n型层，所述p型层具有第一p型层和第二p型层的层叠结构，所述第一p型层是微晶硅层，所述第二p型层配置在所述微晶硅p型层与所述i型层之间，并且包括非晶硅p型层和非晶碳化硅p型层中的至少一个。

专利地区：日本