半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法

摘要：本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080055735.4

专利申请（专利权）人：住友化学株式会社

专利发明（设计）人：山中贞则;高田朋幸;秦雅彦

主权项：一种半导体基板，具有：基底基板，在其表面具有形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶；第一IVB族半导体结晶，其形成在所述第一凹部的内部，且被露出；第二IVB族半导体结晶，其形成在所述第二凹部的内部；以及III?V族化合物半导体结晶，其形成在所述第二凹部的内部的所述第二IVB族半导体结晶上，且被露出。

专利地区：日本