具有单晶碳化硅衬底的复合衬底专利登记公告

专利名称：具有单晶碳化硅衬底的复合衬底

摘要：第一单晶碳化硅衬底(11)的第一顶点(P1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二顶点(P2)彼此邻接，使得第一单晶碳化硅衬底(11)的第一边(S?1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二边(S2)对准。另外，第一边(S?1)的至少一部分和第二边(S2)的至少一部分与第三单晶碳化硅衬底(13)的第三边(S3)邻接。因此，在制造包括复合衬底的半导体器件中，能够抑制由单晶碳化硅衬底之间的空隙而引起的工艺波动。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004269.1

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：堀勉;原田真;井上博挥;佐佐木信;伊藤里美;并川靖生

主权项：一种复合衬底(71)，包括：基底部(30)；第一单晶碳化硅衬底(11)，所述第一单晶碳化硅衬底(11)设置在所述基底部上，并且从平视角来看，所述第一单晶碳化硅衬底(11)具有从具有第一角度(G1)的第一顶点(P1)延伸的第一边(S?1)；第二单晶碳化硅衬底(12)，所述第二单晶碳化硅衬底(12)设置在所述基底部上，并且从平视角来看，所述第二单晶碳化硅衬底(12)具有从具有第二角度(G2)的第二顶点(P2)延伸的第二边(S2)，所述第一角度和所述第二角度之和为180°；以及第三单晶碳化硅衬底(13)，所述第

专利地区：日本