用于等离子体增强化学气相沉积的腔室专利登记公告

专利名称：用于等离子体增强化学气相沉积的腔室

摘要：本发明描述以实质垂直的定向等离子体处理基板的方法与设备。基板定位在包含至少两个实质垂直定向的框架的承载件上。承载件设置在等离子体腔室中，等离子体腔室具有定位于基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦合至具有转盘的移送腔室，以将承载件引导至目标腔室。装载器在承载件与负载锁定腔室之间移动基板，在负载锁定腔室中基板是置放在实质上水平的位置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048407.1

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：唐纳德·J·K·奥尔加多

主权项：一种用于处理基板的工艺腔室，包含：PECVD腔室，所述PECVD腔室具有单一工艺体积，所述单一工艺体积具有两个工艺区域，所述两个工艺区域经配置以处理面对面、垂直定向固定的基板；及垂直定向的天线结构，所述天线结构置中设置于所述PECVD腔室内，所述天线结构在所述单一工艺体积内分隔所述两个工艺区域。

专利地区：美国