沉积膜形成装置专利登记公告

专利名称：沉积膜形成装置

摘要：一种沉积膜形成装置，具有：腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于腔室内，且与第一电极隔开规定间隔；第二电极具有：电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有：第一供给部，其将第一原料气体供给至第一电极和第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至空间，第一供给路径，其与第一供给部相连接，用于导入第一原料气体，第二供给路径，其与第二供给部相连接，用于导入第二原料气体；电极基体具有：加热单元，其对第一原料气体进行加热，第一导入路径，其将第一原料气体导入至第一供给路径，第二导入

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051961.5

专利申请（专利权）人：京瓷株式会社

专利发明（设计）人：伊藤宪和;新乐浩一郎;稻叶真一郎

主权项：一种沉积膜形成装置，具有：腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔；该沉积膜形成装置的特征在于，所述第二电极具有：电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有：第一供给部，其将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至所述空间，第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体，第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体；所述电极基体具有：加热单元，其对所述第一

专利地区：日本