半导体薄膜制造方法、半导体薄膜制造装置、基座和基座保持器专利登记公告

专利名称：半导体薄膜制造方法、半导体薄膜制造装置、基座和基座保持器

摘要：基板（10-12）分别安装在多个基座（20-22）中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板，且所述多个基座设置在旋转机构上，使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多个基座被加热。通过向在旋转的同时受热的基座中的每个基座供应原料气体来沉积半导体薄膜，所述原料气体通过基本上彼此相等的相应路径长度的气体流路被加热。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005073.4

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：盐见弘;千田裕彦;伊藤里美;藤川一洋;岛田茂树;玄番润;寺尾岳见;古庄胜

主权项：一种半导体薄膜制造方法，包括如下步骤：将基板（10?12）分别安装在多个基座（20?22）上；将其上分别安装有所述基板的所述多个基座放置在旋转机构（50）上，从而所述基座沿着竖直方向以预定间隔分隔开；使得其上放置有所述多个基座的所述旋转机构（50）旋转；对其上分别安装有所述基板的所述多个基座进行加热；以及通过将原料气体供应至旋转且受热的所述基座中的每个基座，从而沉积半导体薄膜，所述原料气体在经过气体流路的同时已被加热，所述气体流路的相应的路径长度基本上彼此相等。

专利地区：日本