具有弧形栅极氧化物轮廓的分栅式半导体装置专利登记公告

专利名称：具有弧形栅极氧化物轮廓的分栅式半导体装置

摘要：分栅式半导体装置包括沟槽式栅极，其具有第一电极区和第二电极区，该第一电极区和第二电极区通过栅极氧化层和相邻的电介质层彼此分开。该栅极氧化层和电介质层的边界是弧形的，以避免在栅极氧化层交会沟槽侧壁处为尖锐转角。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056215.5

专利申请（专利权）人：维西埃-硅化物公司

专利发明（设计）人：Y.高;K-I.陈;K.特里尔;S.史

主权项：一种半导体装置，包括：源极区；漏极区；和沟槽式栅极，其包括第一电极区和第二电极区，该第一电极区和第二电极区通过与电介质层相邻的栅极氧化层彼此分开，其中，所述栅极氧化层和所述电介质层的边界是弧形的。

专利地区：美国