半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：一种LDMOS（横向扩散型金属氧化物半导体）结构，其将源极连接到基板并还连接到栅极屏蔽，同时这样的接触点将占用缩小的面积。该结构包括导电基板层、源极，和漏极接触点；漏极接触点通过至少一个中间层与基板层分开。导电的沟槽型馈通元件穿过中间层，并与基板和源极接触，以电连接漏极接触点和基板层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057095.0

专利申请（专利权）人：维西埃-硅化物公司

专利发明（设计）人：K.特里尔

主权项：一种半导体装置，包括：在重掺杂基板层上生长的外延层，这两层均为第一导电类型；在所述外延层中的源极区，其为第二导电类型；在所述外延层中的漏极区，其为所述第二导电类型；用于所述漏极区的漏极接触点，其中，所述外延层和基板层通过反偏结和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）沟道与所述漏极接触点隔离；以及导电的沟槽型馈通元件，其穿过所述外延层并接触所述基板层以及所述源极区，其中，所述馈通元件可被操作以用于电连接所述漏极接触点和所述基板层。

专利地区：美国