在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质专利登记公告

专利名称：在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质

摘要：本发明涉及在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶，其由含有Co的金属基质相、和含有SiO2且形成粒子并分散存在的6~14摩尔%的氧化物的相(以下，称为“氧化物相”)构成，其特征在于，除构成所述金属基质相和氧化物相的成分之外，还含有在所述氧化物相内或其表面散布的0.3摩尔%以上且低于1.0摩尔%的Cr氧化物，氧化物相的各粒子的平均面积为2.0μm2以下。本发明的课题在于提供在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶，其可减少飞弧，用磁控溅射装置可以得到稳定的放电，且密度高、在溅射时产生的粉粒少。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056252.6

专利申请（专利权）人：吉坤日矿日石金属株式会社

专利发明（设计）人：池田祐希;中村祐一郎;荻野真一

主权项：一种在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶，其由含有Co的金属基质相和含有SiO2且形成粒子并分散存在的6~14摩尔%的氧化物的相(以下，称为“氧化物相”)构成，其特征在于，除构成所述金属基质相和氧化物相的成分之外，还含有在所述氧化物相内或其表面散布的0.3摩尔%以上且低于1.0摩尔%的Cr氧化物，氧化物相的各粒子的平均面积为2.0μm2以下。

专利地区：日本