薄膜形成方法和量子点设备专利登记公告

专利名称：薄膜形成方法和量子点设备

摘要：在原料溶液制作工序（11）中，制作InP/ZnS分散溶液等原料溶液。在量子点分散溶液制作工序（12）中，在原料溶液中添加电子输送性表面活性剂使电子输送性表面活性剂配位在量子点的表面上（电子输送性表面活性剂添加处理（12a）），真空干燥使分散溶剂蒸发后（真空干燥处理（12b）），使其在含有空穴输送性表面活性剂的溶剂中浸渍，制作用空穴输送性表面活性剂取代了电子输送性表面活性剂的一部分的量子点分散溶液（配体取代处理（12c））。在涂布工序（13）中，在基板上涂布量子点分散溶液同时制作空穴输送层和量子点层，从而获

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056814.7

专利申请（专利权）人：株式会社村田制作所

专利发明（设计）人：村山浩二

主权项：一种薄膜形成方法，其特征在于，制作带有第1表面活性剂的量子点，第1表面活性剂配位在量子点的表面，使与所述第1表面活性剂相比大量准备的第2表面活性剂与带有第1表面活性剂的量子点在液体中接触，制作用所述第2表面活性剂取代了所述第1表面活性剂的一部分的量子点分散溶液，接着，将所述量子点分散溶液涂布在基板上，同时地制作以所述第2表面活性剂为主成分的第2表面活性剂层和在表面配位有所述第1和第2表面活性剂的量子点层，形成二层结构的薄膜。

专利地区：日本