蚀刻液及电子元件制造方法专利登记公告

专利名称：蚀刻液及电子元件制造方法

摘要：本发明提供一种蚀刻液，是相对于本征半导体层有选择地蚀刻配置于电子元件的金属电极与所述本征半导体层之间的掺杂半导体层的蚀刻液，包括：过渡金属和/或过渡金属盐；以及氟酸和/或含氟无机盐。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058576.3

专利申请（专利权）人：株式会社东进世美肯

专利发明（设计）人：朴贵弘;李期范;曺三永;具炳秀;崔正宪

主权项：一种蚀刻液，其为相对于本征半导体层有选择地蚀刻配置于电子元件的金属电极与所述本征半导体层之间的掺杂半导体层的蚀刻液，其包括：过渡金属、过渡金属盐或它们的混合物；以及氟酸、含氟无机盐或它们的混合物。

专利地区：韩国

关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。