具有氧正硅酸锶型磷光体的发光装置专利登记公告

专利名称：具有氧正硅酸锶型磷光体的发光装置

摘要：本发明的示例性实施例涉及包括氧正硅酸锶类型的磷光体的发光装置。发光装置包括：发光二极管，发射UV或可见范围内的光；磷光体，设置在发光二极管的周围，以吸收从发光二极管发射的光并且发射具有与所吸收的光的波长不同波长的光。磷光体包括通式为Sr3-x-y-zCaxMIIySiO5:Euz且钙摩尔分数在0＜x≤0.05范围内的氧正硅酸盐磷光体。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058655.4

专利申请（专利权）人：首尔半导体株式会社

专利发明（设计）人：李贞勋;沃尔特·特夫斯;贡杜拉·罗思;德特勒夫·施塔瑞克

主权项：一种发光装置，包括：发光二极管；以及磷光体，吸收从所述发光二极管发射的光并且发射具有与所吸收的光的波长不同波长的光，磷光体的通式为Sr3?x?y?zCaxMIIySiO5:Euz，其中，MII是从Mg、Ba、Cu、Zn和Mn中选择的至少一种二价金属离子，0＜x≤0.05，0≤y≤0.5，0＜z≤0.25。

专利地区：韩国