纳米线隧道二极管及其制造方法专利登记公告

专利名称：纳米线隧道二极管及其制造方法

摘要：本发明提供一种隧道二极管及其制造方法。隧道二极管包括形成至少部分在纳米线（1）内的pn结（6）的p掺杂半导体区域（4）和n掺杂半导体区域（5）。优选地，纳米线（1）由形成同质结或者异质结隧道二极管的一种或者多种化合物半导体材料制成。异质结隧道二极管可以是类型I（跨骑间隙）、类型II（交错间隙）或者类型III（断裂间隙）。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058846.0

专利申请（专利权）人：索尔伏打电流公司

专利发明（设计）人：M. 博格斯特雷姆;M. 赫尔林;S. 费尔特

主权项：一种隧道二极管，包括形成pn结（6）的p掺杂半导体区域（4）和n掺杂半导体区域（5），其特征在于所述pn结（6）的至少部分形成于纳米线（1）内。

专利地区：瑞典