非平面锗量子阱装置专利登记公告

专利名称：非平面锗量子阱装置

摘要：本发明公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III-V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III-V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059031.4

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：R. 皮拉里塞蒂;J. T. 卡瓦列罗斯;W. 雷奇马迪;U. 沙;B. 楚-孔;M. 拉多沙夫耶维奇;N. 穆克赫吉;G. 德维;B. Y. 金;R. S. 乔

主权项：?一种用于形成非平面量子阱结构的方法，所述方法包括：接收具有衬底、IV或III?V材料势垒层、掺杂层和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构；有选择地蚀刻所述量子阱结构，以便形成锗鳍式结构；在所述鳍式结构之上沉积顶部势垒层；以及跨所述鳍式结构沉积栅金属。

专利地区：美国