结晶性硅化钴膜的形成方法专利登记公告

专利名称：结晶性硅化钴膜的形成方法

摘要：本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059237.7

专利申请（专利权）人：独立行政法人科学技术振兴机构;JSR 株式会社

专利发明（设计）人：下田达也;松木安生;川尻陵

主权项：?结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子，式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。2010800592377100001dest_p

专利地区：日本