处理绝缘体上硅晶片的方法专利登记公告

专利名称：处理绝缘体上硅晶片的方法

摘要：提供了一种用于在绝缘体上硅结构上蚀刻和/或沉积外延层的方法，该绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在处理晶片和硅层之间的介质层。该硅层具有限定该结构的外表面的裂开表面。然后，蚀刻晶片的裂开表面，同时控制反应器的温度以便蚀刻反应受动力学限制。然后，在所述晶片上沉积外延层，同时控制所述反应器的温度以便在所述裂开表面上的沉积速率受动力学限制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059531.8

专利申请（专利权）人：MEMC电子材料有限公司

专利发明（设计）人：S·Y·杜马尔;L·P·弗兰纳里;T·A·托拉克;J·A·皮特尼

主权项：一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在所述处理晶片和所述硅层之间的介质层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开表面，所述方法包括如下步骤：将所述结构插入反应器中；蚀刻所述裂开表面，同时控制所述反应器的温度以便所述蚀刻反应受动力学限制；在所述晶片上沉积外延层，同时控制所述反应器的温度以便在所述裂开表面上的沉积速率受动力学限制。

专利地区：美国