用于制造半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：用于制造半导体器件的方法

摘要：本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：用于制备复合晶圆的步骤；用于在复合晶圆上形成有源层（23）以获得第一中间晶圆的步骤；用于在第一中间晶圆上形成表面电极（24）以获得第二中间晶圆的步骤；用于将粘性带（71）粘贴到表面电极（24）侧以支撑第二中间晶圆的步骤；用于在利用粘性带（71）继续支撑第二中间层的同时移除支撑层（21）的步骤；用于通过将粘性带粘贴到后表面电极侧并且移除前表面电极（23）侧上的粘性带（71）来利用粘性带支撑多个SiC衬底（22）的步骤；以及用于在由后表面电极侧上的粘性带支撑Si

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005029.3

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：堀井拓

主权项：一种用于制造半导体器件（1）的方法，包括下述步骤：制备复合晶圆（10），其中每个均由碳化硅单晶制成的多个SiC衬底（22）当在平面视图中观察时被并排布置，并且所述多个SiC衬底（22）的在一侧的主表面通过支撑层（21）彼此连接；通过在所述复合晶圆（10）的所述SiC衬底（22）中的每一个上形成有源层（23）来制作第一中间晶圆（11）；通过在所述第一中间晶圆（11）的所述有源层（23）上形成前侧电极（24）来制作第二中间晶圆（12）；通过将所述第二中间晶圆（12）的形成有所述前侧电极（24）的主表面粘附到粘

专利地区：日本