半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：一种半导体装置(130)，其具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90a)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，最靠被接合基板(100)侧的基底层(54)具有电路图案被引出到薄膜元件(80)侧而形成的延设部(E)，在薄膜元件(80)与半导体元件(90a)之间设有树脂层(120)，薄膜元件(80)和半导体

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059548.3

专利申请（专利权）人：夏普株式会社

专利发明（设计）人：富安一秀;高藤裕;福岛康守;多田宪史;松本晋

主权项：一种半导体装置，其特征在于，具备：被接合基板；薄膜元件，其形成于上述被接合基板上；以及半导体元件，其接合到上述被接合基板上，是在半导体元件主体的上述被接合基板侧层叠多个基底层而形成的，上述多个基底层分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，该各电路图案通过形成于该各绝缘层的接触孔而相互连接，上述多个基底层中最靠上述被接合基板侧的基底层具有上述电路图案被引出到上述薄膜元件侧而形成的延设部，在上述薄膜元件与上述半导体元件之间设有树脂层，上述薄膜元件和上述半导体元件主体通过设于上述树脂层上的连接配线、上述延设部

专利地区：日本