带有热扩散器的半导体结构及其制造方法专利登记公告
专利名称：带有热扩散器的半导体结构及其制造方法
摘要：提供了一种半导体结构以及一种用于制造所述结构的方法。该半导体结构包括一个薄膜半导体，该薄膜半导体具有一个活性区域并且被置于一个金刚石基底上。该薄膜半导体优选是直接粘合到该金刚石层上、或者可以通过一种介电胶黏剂而粘附到其上。
专利类型：发明专利
专利号：CN201180005226.5
专利申请（专利权）人：诺瓦特安斯集团有限公司
专利发明（设计）人：艾兰·霍赫斯塔德特;约翰·鲁尔斯顿
主权项：一种半导体结构，由一个具有活性区域的薄膜半导体、以及一个直接粘合到所述薄膜半导体上的热扩散金刚石层组成。
专利地区：瑞士
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