磁阻元件的制造方法专利登记公告

专利名称：磁阻元件的制造方法

摘要：提供一种通过氧化金属层(例如，镁层)形成金属氧化物层(例如，氧化镁层)的方法。所述方法可制造具有更高磁阻比的磁阻元件。所提供的方法包括：制备具有第一铁磁性层形成于其上的基板的步骤；在所述第一铁磁性层顶部制作隧道势垒层的步骤，和在所述隧道势垒层顶部形成第二铁磁性层的步骤。所述制作隧道势垒层的步骤包括：将第一金属层形成于所述第一铁磁性层顶部的步骤；氧化所述第一金属层的步骤；将第二金属层形成于所述氧化的第一金属层顶部的步骤；和在第二金属层蒸发的温度下加热处理所述氧化的第一金属层和所述第二金属层的步骤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059892.2

专利申请（专利权）人：佳能安内华股份有限公司

专利发明（设计）人：西村和正

主权项：一种磁阻元件的制造方法，其包括：设置具有第一铁磁性层的基板的步骤；在所述第一铁磁性层上制作隧道势垒层的步骤；和在所述隧道势垒层上形成第二铁磁性层的步骤，其中所述制作隧道势垒层的步骤包括：在所述第一铁磁性层上沉积第一金属层的步骤；氧化所述第一金属层的步骤；在所述氧化的第一金属层上沉积第二金属层的步骤；和对所述氧化的第一金属层和所述第二金属层进行加热处理的步骤。

专利地区：日本