具有包括磁性隧道结的顶部电极及底部电极的装置的制造与集成专利登记公告

专利名称：具有包括磁性隧道结的顶部电极及底部电极的装置的制造与集成

摘要：本发明揭示一种电子装置制造工艺，其包括沉积底部电极层(711)。接着，在所述底部电极层上制造电子装置(721)。在制造所述电子装置之后且在与图案化顶部电极分开的工艺中执行图案化所述底部电极层。接着将第一电介质层(740)沉积于所述电子装置及所述底部电极层上，随后沉积顶部电极层(751)。接着在与所述底部电极分开的工艺中图案化所述顶部电极。分开图案化所述顶部电极与所述底部电极通过减小电子装置之间的电介质材料中的空隙改善了良率。所述制造工艺非常适合的一种电子装置为磁性隧道结MTJ。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059956.9

专利申请（专利权）人：高通股份有限公司

专利发明（设计）人：李霞;升·H·康

主权项：一种电子装置制造方法，其包含：沉积第一电极层；在所述第一电极层上制造磁性装置；在制造所述磁性装置之后图案化所述第一电极层；在图案化所述第一电极层之后将第一电介质层沉积于所述磁性装置及所述第一电极层上；在沉积所述第一电介质层之后沉积第二电极层；及在沉积所述第二电极层之后图案化所述第二电极层。

专利地区：美国