以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法专利登记公告

专利名称：以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法

摘要：本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所述含硅及氮层可藉由在含氧环境中固化和/或退火薄膜而转化为含硅及氧层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059994.4

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：梁璟梅;X·陈;M·L·米勒;N·K·英格尔;S·文卡特拉马

主权项：一种在基板处理腔室的无等离子体基板处理区域中在基板上形成介电层的方法，所述方法包含：流动含氮及氢气体至等离子体区域中以产生氮自由基前驱物，其中所述含氮及氢气体包含氢(H2)及氮(N2)以允许进入所述等离子体区域中的氮:氢原子流量比的选择有更大的可变性；在所述无等离子体基板处理区域中将含硅前驱物与所述氮自由基前驱物结合；以及沉积所述介电层至所述基板上。

专利地区：美国