具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法

摘要：本发明的实施例描述了半导体器件上的外延区域。在一个实施例中，通过循环的沉积-蚀刻工艺来在衬底上沉积所述外延区域。用外延帽层来回填在循环的沉积-蚀刻工艺期间在间隔体下方产生的空腔。所述外延区域和外延帽层改善了沟道区域的电子迁移率，减小了短沟道效应并降低了寄生电阻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058687.4

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：A·S·默西;D·B·奥贝蒂内;T·加尼;A·J·派特

主权项：一种形成半导体器件的方法，包括：提供具有栅极电极的衬底和形成在所述栅极电极的侧壁上的间隔体；蚀刻所述衬底，以形成凹陷的界面；通过将所述衬底交替地暴露于第一前驱物和第二前驱物，而在所述凹陷的界面上形成外延区域；以及在所述外延区域上选择性地沉积帽层。

专利地区：美国