用于形成NMOS外延层的方法专利登记公告

专利名称：用于形成NMOS外延层的方法

摘要：本发明提供具有受控沟道应变和结电阻的NMOS晶体管及NMOS晶体管的制造方法。在一些实施方式在中，用于形成NMOS晶体管的方法可以包括(a)提供具有p型硅区域的衬底；(b)在所述p型硅区域上沉积硅晶种层；(c)所述硅晶种层上沉积含硅体层，所述含硅体层包含硅，硅和晶格调整元素，或者硅和n型掺杂剂；(d)在所述含硅体层中注入所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种，所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种不在步骤(c)中沉积的所述含硅体层中；和(e)在步骤(d)注入之后，使用能量光束对所述含硅体层

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059624.0

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：米切尔·C·泰勒;苏珊·B·费尔克

主权项：一种用于形成n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的方法，所述方法包含以下步骤：(a)提供具有p型硅区域的衬底；(b)在所述p型硅区域上沉积硅晶种层；(c)所述硅晶种层上沉积含硅体层，所述含硅体层包含硅、硅和晶格调整元素，或者硅和n型掺杂剂；(d)在所述含硅体层中注入所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种，所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种不在步骤(c)中沉积的所述含硅体层中；和(e)在步骤(d)注入之后，使用能量光束对所述含硅体层进行退火。

专利地区：美国