凹陷半导体衬底专利登记公告

专利名称：凹陷半导体衬底

摘要：本公开内容的实施例提供一种装置，该装置包括：半导体衬底，具有第一表面，与第一表面相对设置的第二表面，其中第一表面的至少部分被凹陷以形成半导体衬底的凹陷区域，以及一个或者多个过孔，形成于半导体衬底的凹陷区域中以在半导体衬底的第一表面与第二表面之间提供电或者热通路；以及裸片，耦合到半导体衬底，该裸片电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或者多个过孔。可以描述和/或要求保护其它实施例。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005381.7

专利申请（专利权）人：马维尔国际贸易有限公司

专利发明（设计）人：吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成

主权项：一种装置，包括：半导体衬底，具有：第一表面，第二表面，与所述第一表面相对设置，其中所述第一表面的至少部分被凹陷以形成所述半导体衬底的凹陷区域，以及一个或者多个过孔，形成于所述半导体衬底的所述凹陷区域中以在所述半导体衬底的所述第一表面与所述第二表面之间提供电或者热通路；以及裸片，耦合到所述半导体衬底，所述裸片电耦合到所述在半导体衬底的所述凹陷区域中形成的所述一个或者多个过孔。

专利地区：巴巴多斯