使用外围四氯化硅减少硅在反应器壁上的沉积的方法专利登记公告
专利名称：使用外围四氯化硅减少硅在反应器壁上的沉积的方法
摘要：本发明公开了流化床反应器系统和分配器以及用于由可热分解的硅化合物例如三氯硅烷生产多晶硅的方法。该方法通常包括在多晶硅生产过程中通过使用四卤化硅还原反应器壁上的硅沉积物。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080060001.5
专利申请（专利权）人：MEMC电子材料有限公司
专利发明（设计）人：H·F·厄尔克
主权项：一种在包括反应室的反应器内生产多晶硅产品的方法，所述反应室具有至少一个反应室壁，该方法包括：将四卤化硅引导向反应室壁并且将可热分解的硅化合物引导向四卤化硅内部，其中可热分解的化合物接触硅粒子以使硅沉积到硅粒子上并增大尺寸。
专利地区：美国
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