发光半导体芯片专利登记公告

专利名称：发光半导体芯片

摘要：提出一种半导体芯片（1），其具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中用于产生辐射的有源区域（20）设置在n型导电的多层结构（21）和p型导电的半导体层（22）之间。在n型导电的多层结构中，形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080060204.4

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·沃尔特;泷哲也;于尔根·奥弗;赖纳·布滕戴奇;约阿希姆·赫特功

主权项：半导体芯片（1），具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中?所述半导体层序列具有n型导电的多层结构（21）、p型导电的半导体层（22）和设置用于产生辐射的有源区域（20），所述有源区域设置在所述n型导电的多层结构和所述p型导电的半导体层之间；并且?在所述n型导电的多层结构中形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。

专利地区：德国