光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法专利登记公告

专利名称：光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法

摘要：本发明说明了一种光电半导体芯片（100），其具有第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中，第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）基于氮化物-化合物半导体材料，所述第一半导体层序列（1）在生长方向上位于第二半导体层序列（2）之前，并且所述微型二极管（11）形成对有源区（12）的ESD（静电放电）保护。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080060293.2

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：赖纳·布滕戴奇;亚历山大·沃尔特;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;泷哲也;胡贝特·迈瓦尔德

主权项：光电半导体芯片（100），具有：?第一半导体层序列（1），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11）；和?第二半导体层序列（2），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中?所述第一半导体层序列（1）和所述第二半导体层序列（2）基于氮化物?化合物半导体材料，?所述第一半导体层序列（1）在生长方向上位于所述第二半导体层序列（2）之前，?所述微型二极管（11）形成对所述有源区（12）的静电放电保护，并且?所述微型二极管（11）中的大部分具有同种的电学性质，尤其同种的击穿特性。

专利地区：德国