氮化物系半导体元件及其制造方法专利登记公告

专利名称：氮化物系半导体元件及其制造方法

摘要：本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180003875.1

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：横川俊哉;大屋满明;山田笃志;加藤亮

主权项：一种氮化物系半导体元件，具备：氮化物系半导体层叠构造，其具有p型GaN系半导体区域；和电极，其设置于所述p型GaN系半导体区域上，所述p型GaN系半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，所述电极包含Mg合金层，该Mg合金层与所述p型GaN系半导体区域的所述主面相接触，由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成。

专利地区：日本