半导体结构及其制备方法专利登记公告
专利名称：半导体结构及其制备方法
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过利用SiC取代传统的SOI中的埋氧层而制得的半导体衬底。一方面，由于SiC具有较大的带隙，因而位于表层硅薄膜下的SiC层可以作为优良的低漏电流层；另一方面，由于SiC具有较高的热传导率，故可以降低器件的自发热，从而使得衬底同时具有良好的导热性能。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110000433.3
专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
专利发明（设计）人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主权项：一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；覆盖在所述硅衬底表面的碳化硅膜；以及覆盖在所述碳化硅膜表面的半导体膜。
专利地区：北京
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