绝缘栅型双极晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：绝缘栅型双极晶体管及其制造方法

摘要：本发明的目的在于提供使耐压的保持和低导通电压化并存的沟槽栅型IGBT。本发明的IGBT具备：第1导电型的缓冲层（11）；在缓冲层（11）的第1主面上形成的第1漂移层；在所述第1漂移层上形成的第1的导电型的第2漂移层（3）；在第2漂移层（3）上形成的第2导电型的基极层（4）；在基极层（4）的表面选择性地形成的第1导电型的发射极层（5）；从发射极层（5）的表面起向第2漂移层（3）中贯通并隔着栅极绝缘膜（7）而埋入形成的栅极电极（8）；与发射极层（5）导通的发射极电极（10）；在缓冲层（11）的第2主面上形成的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110287695.2

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：青野真司;凑忠玄

主权项：一种绝缘栅型双极晶体管，其中，具备：第1导电型的缓冲层；第1漂移层，在所述缓冲层的第1主面上形成；第1导电型的第2漂移层，在所述第1漂移层上形成；第2导电型的基极层，在所述第2漂移层上形成；第1导电型的发射极层，在所述基极层表面选择性地形成；栅极电极，从所述发射极层的表面起向所述第2漂移层中贯通并隔着栅极绝缘膜进行埋入而形成；发射极电极，与所述发射极层导通；第2导电型的集电极层，在所述缓冲层的第2主面上形成；以及集电极电极，在所述集电极层上形成，所述第1漂移层是第1导电型的第1层和第2导电型的第2层在水平

专利地区：日本