一种石墨烯薄膜的衬底转移方法专利登记公告

专利名称：一种石墨烯薄膜的衬底转移方法

摘要：本发明涉及一种石墨烯薄膜的衬底转移方法，属于半导体薄膜领域。所述衬底转移方法包括将有机胶体旋涂在石墨烯薄膜的表面并烘干坚膜，在有机胶体表面贴附胶带，随后将胶带粘附的基片材料放入腐蚀溶液中腐蚀石墨烯薄膜下的金属催化剂层，待腐蚀完成后，从溶液中捞出胶带及其粘附的有机胶体和石墨烯薄膜，均匀铺展在目标衬底上，用相应方法去除胶带后，溶解掉有机胶体而最终完成石墨烯薄膜到目标衬底的转移。本发明石墨烯薄膜的衬底转移方法简单易行，可以方便地将大面积石墨烯薄膜转移到任意衬底材料上，且不会产生较大损伤；转移面积大，工艺步骤简单

专利类型：发明专利

专利号：CN201110002388.5

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：金智;麻芃;郭建楠;王显泰

主权项：一种石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征在于，所述衬底转移方法包括以下步骤：步骤1：在石墨烯薄膜表面旋涂一层有机胶体形成有机胶体层，所述石墨烯薄膜生长在具有金属催化剂层的基片材料上；步骤2：将表面旋涂有机胶体层的石墨烯薄膜在80℃～185℃下烘干坚膜1分钟～1小时；步骤3：在烘干坚膜后的石墨烯薄膜的有机胶体层的表面上粘附一层胶带形成胶带层，所述胶带层的两端未粘附在有机胶体层上；步骤4：将粘附有胶带层的石墨烯薄膜浸入腐蚀溶液中；步骤5：在腐蚀溶液中将胶带层夹起，被夹起的胶带层会将粘附的有机胶体层、石墨烯薄膜以及

专利地区：北京