半导体工艺中的清洗方法专利登记公告

专利名称：半导体工艺中的清洗方法

摘要：一种半导体工艺中的清洗方法，此清洗方法包括下述步骤：首先提供半导体基板。提供水雾持续第一期间以对半导体基板进行清洗。同时于第一期间的起始点或起始点之前，在基板上形成水膜，并维持此水膜，时间长度持续约第二期间，并且使第二期间与第一期间至少部分重叠，用来缓冲水雾所带来的影响。通过同步地提供水雾与水膜来提升半导体基板表面静电移除效果，避免对半导体晶片上电路图案的损伤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110003452.1

专利申请（专利权）人：联华电子股份有限公司

专利发明（设计）人：蔡宗洵

主权项：一种半导体工艺中的清洗方法，包括：提供半导体基板；提供水雾持续第一期间，以对该半导体基板进行清洗；以及于该第一期间的起始点或之前，在该基板上形成水膜，并维持该水膜达第二期间，用来缓冲该水雾，其中该第二期间与该第一期间至少部分重叠。

专利地区：台湾