半导体器件及其制作方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制作方法

摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层中形成沟槽，该沟槽的侧壁的至少底部一部分向沟槽外侧倾斜；在沟槽中填充电介质材料；减薄第一半导体层，使得第一半导体层相对于电介质材料凹入；以及在第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中第一半导体层的材料与第二半导体层的材料不同。根据本发明，可以有效地抑制异质外延生长过程中形成的缺陷。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110005924.7

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：骆志炯;朱慧珑;尹海洲

主权项：一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体层；在所述第一半导体层中形成沟槽，该沟槽的侧壁的至少底部一部分向沟槽外侧倾斜；在沟槽中填充电介质材料；减薄所述第一半导体层，使得所述第一半导体层相对于所述电介质材料凹入；以及在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中所述第一半导体层的材料与所述第二半导体层的材料不同。

专利地区：北京