P型埋层引出孔电阻值的监测结构专利登记公告

专利名称：P型埋层引出孔电阻值的监测结构

摘要：本发明公开了一种P型埋层引出孔电阻值的监测结构，监测结构的单体结构的P型埋层的周侧环绕一N型埋层。通过在N型埋层上加上正电位，能使P型埋层周围的PN结反向偏置，从而能够减少电流从衬底漏走，起到隔离作用。本发明监测结构的P型埋层的引出孔之间的间距较小、金属线的宽度较大，能够大大增加测试端的电流的收集能力。通过多个单体结构的串联来形成监测结构能使监测数据更加准确。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110002423.3

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：朱丽霞;周正良

主权项：一种P型埋层引出孔电阻值的监测结构，在P型衬底上形成有浅槽隔离或场氧，其特征在于，所述监测结构至少包括一单体结构，所述单体结构包括：一P型埋层，所述P型埋层形成于所述浅槽隔离或所述场氧的底部；所述P型埋层顶部的所述浅槽隔离或所述场氧中形成有第一引出孔和第二引出孔，所述第一引出孔和所述第二引出孔中填充有金属并和所述P型埋层形成连接；在所述P型埋层对应的所述浅槽隔离或所述场氧的底部分别形成有一N型埋层，所述N型埋层环绕在所述P型埋层的周侧并和所述P型埋层的周围侧面形成接触；在所述N型埋层顶部的所述浅槽隔离或所

专利地区：上海