半导体芯片、堆叠型半导体封装体及其制造方法专利登记公告
专利名称：半导体芯片、堆叠型半导体封装体及其制造方法
摘要：本发明公开了一种半导体芯片包括：第一基板，其具有第一表面和背对该第一表面的第二表面；第一测试硅通孔(TSV)，从该第一表面到第二表面贯穿该第一基板；以及导电凸起，耦合到该第一测试TSV并从该第二表面突出。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110463172.9
专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司
专利发明（设计）人：吴卓根
主权项：一种半导体芯片，包括：第一基板，具有第一表面和与背对该第一表面的第二表面；第一测试硅通孔，从该第一表面到该第二表面贯穿该第一基板；以及导电凸起，耦合到该第一测试TSV并从该第二表面突出。
专利地区：韩国
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