双光阻墙及其制备方法专利登记公告

专利名称：双光阻墙及其制备方法

摘要：本发明公开了一种双光阻墙及其制备方法，主要包括玻璃清洗、涂布光刻胶、曝光、显影和烘烤等步骤，在曝光步骤采用双光阻墙光罩，曝光能量为800～1000mJ/cm2；显影步骤采用10～11g/L的Na2CO3溶液，显影3～5min。利用该方法所得光阻墙包括若干个双光阻墙单元，双光阻墙单元包括内光阻墙、外光阻墙和切割道，外光阻墙设于内光阻墙的外围，切割道设于内光阻墙和外光阻墙之间。该双光阻墙可有效增加与晶圆的胶合面积，并可减少溢胶及胶不均匀导致的气泡无胶风险。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110002459.1

专利申请（专利权）人：昆山西钛微电子科技有限公司

专利发明（设计）人：施林波;王晔晔

主权项：一种双光阻墙的制备方法，主要包括玻璃清洗、涂布光刻胶、曝光、显影和烘烤等步骤，其特征在于：在所述曝光步骤采用双光阻墙光罩，该双光阻墙光罩上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元(1)，所述每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙(11)、光罩单元外光阻墙(13)和光罩单元切割道(12)，所述光罩单元外光阻墙设于所述光罩单元内光阻墙外围，所述光罩单元切割道设于所述光罩单元内光阻墙和所述光罩单元外光阻墙之间；所述曝光步骤的曝光能量为800～1000mJ/cm2；所述显影步骤采用10～11g/L的Na2CO3溶液，显

专利地区：江苏