硅锗异质结双极晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

摘要：一种硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，所述硅锗异质结双极晶体管包括：基极、位于基极上的发射极以及位于基极和发射极交界面处的异质结，所述基极为掺入锗的硅，所述锗的掺入浓度随着深度增加依次包括：掺入浓度上升区、掺入浓度平台区、掺入浓度下降区，其中，所述掺入浓度上升区随着深度增加依次包括掺入浓度增加平缓区、掺入浓度增加快速区，其中，异质结位于掺入浓度增加平缓区。对于不同尺寸的发射极窗口，本发明的硅锗异质结双极晶体管的电流增益的变化较小。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110002764.0

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：孙涛

主权项：一种硅锗异质结双极晶体管，包括基极、位于基极上的发射极以及位于基极和发射极交界面处的异质结，所述基极为掺入锗的硅，其特征在于，所述锗的掺入浓度随着深度增加依次包括：掺入浓度上升区、掺入浓度平台区、掺入浓度下降区，其中，所述掺入浓度上升区随着深度增加依次包括掺入浓度增加平缓区、掺入浓度增加快速区，其中，异质结位于掺入浓度增加平缓区。

专利地区：上海