具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管专利登记公告

专利名称：具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管

摘要：本发明是有关于一种具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，包含一集极结构、一实体接触该集极结构的漂移区，及一实体接触该漂移区的栅极结构、一第一射极结构与一第二射极结构，该第一射极结构包括一井区及一实体接触井区的源极区，该第二射极结构包括一分流区，该集极结构、该井区及该分流区成第一电性，该漂移区与该源极区成第二电性。本发明借由该第二射极结构的分流区提供元件在导通时另一分流路径以避免寄生栅流体的导通引发元件失效，并提供在关闭的过程中载子复合的另一路径，提高载子复合效率，提高元件运算反应速度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110220519.7

专利申请（专利权）人：茂达电子股份有限公司

专利发明（设计）人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群

主权项：一种具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其包含：一个集极结构、一个漂移区、一个栅极结构，以及一个第一射极结构，该集极结构成第一电性，该漂移区成相反于该第一电性的第二电性并实体接触该集极结构，该栅极结构包括一层导电层，及一层隔离该导电层和该漂移区的介电层，该第一射极结构包括一个成第一电性并实体接触该漂移区和该栅极结构的介电层的井区、一个成第二电性并位于该井区中的源极区，及一个实体接触该井区及该源极区并用于对外电连接的第一接触插塞；其特征在于：其还包含一个第二射极结构，该第二射极结构包括一个成第一电性且实

专利地区：台湾