半导体装置以及功率变换装置专利登记公告

专利名称：半导体装置以及功率变换装置

摘要：提供了一种半导体装置，能够在保持低损失和高耐压的同时，提高栅极驱动电路对在导通开关时间段中的dv/dt的控制性。该半导体装置设置有：第1导电型的第1半导体层(4)；在其表面附近形成的第2导电型的第2半导体层(2)；与其电连接的第1主电极(11)，与第1半导体层(4)邻接且在与第2半导体层(2)相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层(6)；在其上部上选择性地设置的第1导电型的第4半导体层(7)；与第3半导体层(6)以及第4半导体层(7)电连接的第2主电极(14)；其侧面与第4半导体层(7)和第3半导

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001137.X

专利申请（专利权）人：株式会社日立制作所

专利发明（设计）人：白石正树;森睦宏;铃木弘;渡边聪

主权项：一种半导体装置，其特征在于，设置有：第1导电型的第1半导体层；在该第1半导体层的表面附近形成的第2导电型的第2半导体层；与所述第2半导体层电连接的第1主电极；与所述第1半导体层邻接，且在与所述第2半导体层相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层；在该第3半导体层的上部选择性地设置的第1导电型的第4半导体层；与所述第3半导体层以及所述第4半导体层电连接的第2主电极；侧面与所述第4半导体层和所述第3半导体层接触，且到达所述第1半导体层的沟槽；沿着该沟槽的所述侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极；以及在所述

专利地区：日本