半导体器件和逆导IGBT专利登记公告

专利名称：半导体器件和逆导IGBT

摘要：提供一种半导体器件和逆导IGBT。该半导体器件包括具有基极区域（1）的半导体本体（40）以及布置在半导体本体（40）的主水平表面（15）上的第一电极（10）。该半导体本体（40）还包括具有与基极区域（1）形成第一pn结（9）的本体区域（2）的IGBT单元（110）以及具有与基极区域（1）形成第二pn结（9a）的阳极区域（2a）的二极管单元（120）。在垂直剖面中仅在IGBT单元（110）中形成与第一电极（10）欧姆接触的源极区域（3）以及与第一电极（10）欧姆接触的抗闩锁区域（4）。该抗闩锁区域（4）具有

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013681.6

专利申请（专利权）人：英飞凌科技奥地利有限公司

专利发明（设计）人：F.D.普菲尔施

主权项：一种半导体器件，包括：包括第一导电类型的基极区域（1）和主水平表面（15）的半导体本体（40）；布置在主水平表面（15）上的第一电极（10）；在垂直剖面中，该半导体本体（40）还包括：?????包括与基极区域（1）形成第一pn结（9）的第二导电类型的本体区域（2）的IGBT单元（110）；以及?????包括与基极区域（1）形成第二pn结（9a）的第二导电类型的阳极区域（2a）的二极管单元(120)；并且?????在垂直剖面中仅在IGBT单元（110）中形成的与第一电极（10）欧姆接触的第一导电类型的源极区

专利地区：奥地利