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图像传感器及其制造方法专利登记公告


专利名称:图像传感器及其制造方法

摘要:一种图像传感器及其制造方法,所述图像传感器,包括形成于衬底上的光电二极管;依次覆盖于所述光电二极管上的绝缘层和透明导电层;所述透明导电层具有上负电压信号加载端。一种图像传感器的制造方法,所述图像传感器的制造方法,包括:提供衬底;在衬底上形成光电二极管;在光电二极管上依次形成绝缘层、透明导电层;在所述光电二极管上沉积层间介质层,形成位于所述层间介质层中、电连接于透导电层的插塞。通过改变所述负电压信号可以改变钉扎作用,进而使所述光电二极管可以获得最佳的钉扎效果。

专利类型:发明专利

专利号:CN201110002778.2

专利申请(专利权)人:格科微电子(上海)有限公司

专利发明(设计)人:霍介光

主权项:一种图像传感器,其特征在于,包括形成于衬底上的光电二极管;依次覆盖于所述光电二极管上的绝缘层和透明导电层;所述透明导电层具有负电压信号加载端。

专利地区:上海