一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法

摘要：本发明涉及一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法，其包括第一衬底、第二衬底及第三衬底；第一衬底上覆盖有钝化介质层，钝化介质层下方内设有CMOS读取电路，CMOS读取电路包括最外层的反光板，钝化介质层内设有共振槽；钝化介质层上设有第一低温键合体及第二低温键合体；第二衬底内设有空腔，在任意空腔的下方均设有红外敏感区及热隔离悬臂梁；红外敏感区包括红外吸收层及硅岛，硅岛内设有若干串联分布的二极管；第二衬底上设有第三低温键合体及第四低温键合体，第三低温键合体通过连接线与第二衬底相连，第一衬底与第二衬底、第三

专利类型：发明专利

专利号：CN201210088833.9

专利申请（专利权）人：江苏物联网研究发展中心

专利发明（设计）人：欧文

主权项：一种用于红外焦平面阵列器件的微结构，其特征是：包括第一衬底（101）及位于所述第一衬底（101）上方的第二衬底（201），所述第二衬底（201）的上方设有第三衬底（301）；所述第一衬底（101）的表面上覆盖有钝化介质层（102），所述钝化介质层（102）下方的第一衬底（101）内设有CMOS读取电路，所述CMOS读取电路包括最外层的反光板（104），刻蚀反光板（104）上方相应的钝化介质层（102）以形成位于钝化介质层（102）内的共振槽；在共振槽外圈的钝化介质层（102）上设有第一低温键合体（105）

专利地区：江苏